קרייז באָרד טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און היץ דיסיפּיישאַן פּלאַן פּראַסעסאַביליטי רעקווירעמענץ

1. היץ זינקען פאָרעם, גרעב און געגנט פון די פּלאַן

לויט צו די טערמאַל פּלאַן רעקווירעמענץ פון די פארלאנגט היץ דיסיפּיישאַן קאַמפּאָונאַנץ זאָל זיין גאָר באַטראַכט, מוזן ענשור אַז די קנופּ טעמפּעראַטור פון די היץ-דזשענערייטינג קאַמפּאָונאַנץ, פּקב ייבערפלאַך טעמפּעראַטור צו טרעפן פּראָדוקט פּלאַן באדערפענישן.

2. היץ זינקען מאַונטינג ייבערפלאַך ראַפנאַס פּלאַן

פֿאַר טערמאַל קאָנטראָל רעקווירעמענץ פון הויך היץ דזשענערייטינג קאַמפּאָונאַנץ, די היץ זינקען און קאַמפּאָונאַנץ פון די מאַונטינג ייבערפלאַך ראַפנאַס זאָל זיין געראַנטיד צו דערגרייכן 3.2μם אָדער אפילו 1.6μם, האט געוואקסן די קאָנטאַקט שטח פון די מעטאַל ייבערפלאַך, מאכן פול נוצן פון די הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי פון די מעטאַל מאַטעריאַל טשאַראַקטעריסטיקס, צו מינאַמייז די קאָנטאַקט טערמאַל קעגנשטעל.אבער אין אַלגעמיין, די ראַפנאַס זאָל נישט זיין פארלאנגט צו הויך.

3. פילונג מאַטעריאַל סעלעקציע

אין סדר צו רעדוצירן די טערמאַל קעגנשטעל פון די קאָנטאַקט ייבערפלאַך פון די הויך-מאַכט קאָמפּאָנענט מאַונטינג ייבערפלאַך און היץ זינקען, די צובינד ינסאַליישאַן און טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי מאַטעריאַלס, טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי פיללער מאַטעריאַלס מיט הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי זאָל זיין אויסגעקליבן, למשל, ינסאַליישאַן און טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי. מאַטעריאַלס אַזאַ ווי בעריליום אַקסייד (אָדער אַלומינום טריאַקסייד) סעראַמיק בויגן, פּאָליימידע פילם, מיקאַ בויגן, פיללער מאַטעריאַלס אַזאַ ווי טערמאַל קאַנדאַקטיוו סיליקאָנע שמירן, איין-קאָמפּאָנענט ווולקאַנייזד סיליקאָנע גומע, צוויי-קאָמפּאָנענט טערמאַל קאַנדאַקטיוו סיליקאָנע גומע, טערמאַל קאַנדאַקטיוו סיליקאָנע גומע בלאָק.

4. ינסטאַלירונג קאָנטאַקט ייבערפלאַך

ייַנמאָנטירונג אָן ינסאַליישאַן: קאָמפּאָנענט מאַונטינג ייבערפלאַך → היץ זינקען מאַונטינג ייבערפלאַך → פּקב, צוויי-שיכטע קאָנטאַקט ייבערפלאַך.
ינסאַלייטיד ינסטאַלירונג: קאָמפּאָנענט מאַונטינג ייבערפלאַך → היץ זינקען מאַונטינג ייבערפלאַך → ינסאַליישאַן שיכטע → פּקב (אָדער שאַסי שאָל), דרייַ לייַערס פון קאָנטאַקט ייבערפלאַך.ינסאַליישאַן שיכטע אינסטאַלירן אין וואָס מדרגה, זאָל זיין באזירט אויף די קאָמפּאָנענט מאַונטינג ייבערפלאַך אָדער פּקב ייבערפלאַך עלעקטריקאַל ינסאַליישאַן באדערפענישן.